由UNIST能源与化学工程学院的李俊熙教授领导的研究分析小组提出提出要求和某种有新物理现象一，该现象一将有将指甲大小的存储芯片的存储容量减少1,000倍智能家居有哪些。

研究分析小组觉得 ，这将为或者集成到硅核心技术中则 几经波折 致密的逐单元铁电开关设备提供完整意想另外 的有机会。铁电随机存取存储器（FeRAM或FRAM）借助极化现象一来存储各种信息，另有电偶极子（如铁电内部的NS磁场）被外部电场对准。

FeRAM已沦为替代现有DRAM或闪存的下一代存储智能家居有哪些半导体，确实它加速更快，功耗更低，是对 在电源关闭后仍能保留存储的最终数据。我们，FeRAM的为什么缺点沦为是存储容量有限。

是对 ，是为减少其存储容量，有必要借助减小芯片尺寸来集成尽是对 多的设备。是对铁电体，物理尺寸的减小加剧 极化现象一的消失，该极化现象一有助于将各种信息存储在铁电材料中。

它是确实铁电畴的系统形成（会发生自发极化的微小区域）另外 需要减少成千上万个原子。是对 ，目前来看对FRAM核心技术的研究分析集中在减小域大小的另有能保持存储容量。

图1：相对目前来看（左）有新（右）FeRAM的示意图Lee教授及其研究分析小组意外发现，借助向称作铁电氧化Ha（HfO2）的半导体材料中添加一滴电荷，需要减少控制中四个单独的原子来存储1位最终数据。

这项开创性的研究分析颠覆了现使得范例，该范例最频繁我只能够帮助 数千个原子的组中存储1位最终数据。正确使用于后，半导体存储器需要减少存储500 Tbit / cm2，是目前来看可用闪存芯片的1,000倍。

该研究分析小组未来希望，我我们的意外发现将为开发半纳米制造工艺核心技术铺平道路，它是对半导体行业未来是对和一项开创性的成就，确实半导体行业未来也已面临着目前来看10纳米核心技术的极限。

Lee教授说：“需要减少在单个原子中存储最终数据有新核心技术是地球上最频繁级的存储核心技术，它绝不会分裂原子。将有该核心技术将有助于加速初步缩小半导体尺寸的努力付出。”

Lee教授说：“ HfO2在当今的存储晶体管中智能家居有哪些很常用，借助应用某种核心技术，将有将最终数据存储容量扩大1000倍。”这项革命性意外发现已于2020年7月2日发表在《科学》杂志上。

需要减少在单个原子中存储最终数据的“科学”杂志也已发表了该论文，是对 将有刺激半导体行业未来的飞跃性创新。最新意外发现还是对 为开发半纳米制造工艺核心技术铺平道路，它是对半导体行业未来是对和一项开创性的成就，确实半导体行业未来目前来看正面临着10纳米制程工艺核心技术的极限。